Investigation du Comportement en Commutation Dure de MOSFET SiC H/F

L’Institut de Recherche Technologique (IRT) Saint Exupéry est un accélérateur de science, de recherche technologique et de transfert vers les industries de l’aéronautique et du spatial pour le développement de solutions innovantes sûres, robustes, certifiables et durables.
Nous proposons sur nos sites de Toulouse, Bordeaux, Sophia Antipolis et Montréal un environnement collaboratif intégré composé d’ingénieurs, chercheurs, experts et doctorants issus des milieux industriels et académiques pour des projets de recherche et des prestations de R&T adossés à des plateformes technologiques autour de 4 axes : les technologies de fabrication avancées, les technologies plus vertes, les méthodes & outils pour le développement des systèmes complexes et les technologies intelligentes.
Nos technologies développées répondent aux besoins de l'industrie, en intégrant les résultats de la recherche académique.

Environnement de travail

Toulouse
L’IRT Saint Exupéry est le principal locataire du bâtiment B612, le centre d’innovation de Toulouse Aerospace, occupant 10 900 m² sur les 24 000m² disponibles. Situé dans le quartier de Montaudran, au cœur d’un écosystème riche et en pleine mutation, le B612 abrite les acteurs majeurs de l’innovation : U-Space, Airbus OneWeb satellites, ANITI, ESSP, Aerospace Valley ou encore Capgemini.

Nous disposons de 3 autres sites : Bordeaux, Sophia-Antipolis & Montréal. 

3 raisons de nous rejoindre :
- Prendre part à des projets de recherche innovants, au service de la recherche technologique française et au profit de l'industrie implantée sur le territoire national et européen.
- Vivre sa passion pour la technologie, se donner la liberté d’innover et développant son esprit pionnier et d’équipe !
- Evoluer dans un environnement collaboratif intégré et multiculturel, en travaillant aux côtés des collaborateurs issus de la recherche académique ou de l’industrie : chercheurs, doctorants, ingénieurs, techniciens, etc.

L’IRT Saint Exupéry s’engage pour la diversité et l’inclusion. Toutes les candidatures à ce poste seront étudiées sans différence de traitement liée au sexe, à l’âge, à la nationalité ou tout autre critère discriminant. Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de handicap. 

Visitez en 360° nos plateformes technologiques sur Toulouse : https://storage.net-fs.com/hosting/6834310/4/

Le travail de recherche vise la compréhension de phénomènes associés à un régime de commutation pour les MOSFET SiC à travers des banc d’essais DPT (Double Pulse Test) et DST (Double Source Test) pour la caractérisation en commutation. Ces banc d’essais sont opérationnelles à l’IRT et au Laboratoire Ampère, partenaire académique. L’objectif ultime est :

• la mise en place de protocoles de test rapides (accélérés) et représentatives de stress en conditions opérationnels réels (Automotive, Aéronautique, Ferroviaire, …)
• la définition d’une SOA (Safe Operating Area)
• supporter la définition de test de qualification basé sur le temps de vie du composant MOSFET et l’évolution de certains parameters électriques.

Pour cela, les tâches associées sont :

• Etude bibliographique générale sur la caractérisation des composants de puissance (méthode DPT et DST) ;
• Mise au point d’un banc de test tenant en compte de forte contrainte lié au comportement dynamique (dV/dt >20V/ns) du DUT (intégrité de signaux, interférences électromagnétiques,…) ;
• Compréhension de l’influence de chaque paramètre appliqué (stresseurs) sur les paramètres mesurables (indicateurs – Vgs, Vds, Ids, Switching Energy,…) ;
• Estimation de la température de jonction basée sur la variation de la température du package (MOSFET) selon différents duty cycles appliqués ;
• Utilisation des résultats pour la détermination des facteurs d’accélération ; des SOA ; et proposer de guidelines pour la qualification de SiC MOSFET.

Etudiant(e) en dernière année de Master ou d’école d’ingénieur, vous disposez de connaissances en électronique de puissance, en mesures électriques ainsi que sur les composants de puissance MOSFET, SiC et GaN et sur leurs utilisation (convertisseurs de puissance).

Vous maîtrisez :
-          Des logiciels de calcul (MATLAB) et simulation de circuit électroniques, LTspice, AnsysQ3D.
-          Mise en place de banc de test électriques
-          Anglais, rédaction de livrables, présentation PowerPoint.
           
Rigueur / fiabilité (tenue des engagements)/Travail en équipe/Pédagogique, synthèse de travail claire et concise/ Capacité d’analyse et de synthèse